檢索結果：共5筆資料 檢索策略： "資訊工程系".dept (精準) and ckeyword.raw="快閃記憶體轉換層"
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由於低耗電,非揮發性,高效能,穩定及高可攜性等特性,NAND 型快閃記憶體已成為各種嵌入式系統與消費性電子產品的主要儲存媒介之一.NAND 型快閃記憶體又可區分為單級單元型 (Single-Leve…
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由於快閃記憶體的耐抗震能力、高密度、低成本、低電力消耗、非揮發特性與較低存取延遲特性，使得NAND型快閃記憶體在消費性電子儲存與可攜性裝置市場已開始被廣泛地使用作為儲存體媒介，NAND快閃記憶體可分…
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NAND flash memory has been widely adopted in consumer electronics and portable devices as a storage…
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干擾錯誤和保留時間錯誤是3D-TLC閃存中的兩種主要錯誤類型。 隨著的P/E cycles增加，氧化層變薄。 因此，存儲在電池中的電荷變得更容易丟失，這將導致Vth發生負向偏移。 同時，由於FN隧道…
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為了增加MLC flash memory的整體效能，會把SSD 中一部分的MLC block 轉換成pseudo SLC block，能讓這些block 能夠有一般SLC block的效能，因為此時…